省エネ、高速化に貢献し、電断耐性を飛躍的に高める
世界初※1、ランダム不揮発性メモリ「MRAM」搭載SSDの販売について※2
株式会社バッファローメモリ(代表取締役 河村達哉:愛知県名古屋市中区大須三丁目30番20号、以下バッファローメモリ)は株式会社メルコホールディングス100%出資の子会社で、半導体メモリ応用製品を産業機械・組込み市場向けに企画・開発・販売しています。
このたびバッファローメモリは、世界初となるMRAMキャッシュ搭載SSD(ソリッドステートドライブ)の開発に成功し、特定顧客向けのサンプル販売を開始いたしました。なお、5月9日から開催の「組込みシステム開発技術展(ESEC、東京ビッグサイト)」のバッファローメモリブース(No.西11-10)において同製品の展示・デモを行う予定です。
■本製品の特長
究極の電断耐性、ランダム不揮発性メモリMRAMキャッシュを搭載
磁気抵抗メモリMRAM(Magnetic Random Access Memory)は、磁性体を素子に用い、高速なアクセス速度、高集積性、不揮発性という優れた特性を持ったランダム不揮発性メモリです。この度バッファローメモリでは次世代メモリとして数年来期待されてきたMRAMをキャッシュとして搭載したSSDの開発に成功しました。
一般的な高速SSDにはキャッシュメモリとして揮発性メモリDRAMが搭載されていますが、MRAMはDRAMとは異なり、データ保持のための給電が不要であるため、本製品は従来SSDと比較して以下の優れた特長を持っています。
優れた電断耐性
搭載システムからSSDへの電源供給が不安定でSSDへの電源が遮断された場合、書き込み中のデータが消失したり、最悪の場合SSDの故障を引き起こす場合があります。これは多くの場合、DRAMなどのキャッシュメモリに保存されたデータの消失が原因です。本製品はキャッシュメモリにMRAMを採用することで、SSDの電源が遮断された場合でもキャッシュ上のデータを一切消失しません。よって再起動時の故障を回避することが可能です。
起動スピードの高速化
一般的な高速SSDでは、頻繁に読み書きが必要となるSSD内の管理データを、起動時にNANDフラッシュからキャッシュ領域へ書き込みます。本製品では給電されていない状態でもキャッシュ領域(MRAM)に管理データを保存しているため、起動時のデータロードなどのプロセスを削減、SSDとしての起動時間を飛躍的に高めています。
優れた省電力効果
本製品では一定期間リードライトなどのアクセスが無いときはキャッシュメモリへの給電を停止することで、使用時の消費電力を大幅に抑えています。給電しなくてもデータが保持でき、給電開始後も即座に停止前の状態で復帰できる不揮発性メモリの特性を存分に発揮しました。
高い信頼性で豊富な実績を誇るバッファローの生産体制
本製品は産業用メモリモジュール・フラッシュストレージ製品で10年以上の実績を誇る株式会社バッファローの開発・生産体制、品質保証体制を経て製品化されています。産業用メモリ分野で要求される様々なご要求にも対応、お客様に安心してご利用いただける製品となっています。
※1 自社調べ MRAMを搭載したSSDの販売として。
※2 本製品は産業用途を目的として開発されており、個人のお客様への販売予定はございません。